CMP Chemical Mechanical Polishing/Planarization。化學機械研磨法。
為半導體製程上主要的全面性平坦化技術。CMP是將晶圓放置在承載體(Carrier/Head)與表面鋪有拋光墊的旋轉工作台之間，延著一條輸送 管，將會產生化學反應的化學助劑(reagent)不斷地噴出，在化學蝕刻與機械磨削兩者相互作用下，將晶片上凸出的沈積層，加以去除的一種平坦化技術。 廣泛地應用在金屬膜及低介電質常數（Low-k）介電層的製程上。
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